フォトレジスト組成物

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-286263
公開番号（公開出願番号）：特開2006-098869
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】半導体や薄型パネルディスプレイの電極パターンを製造する際のリソグラフィー工程において、感度、解像度、耐熱性など優れた特徴をもつフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】一般式(I)で表されるヒドロキシナフタレン化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。【化10】一般式(I)中、mは1〜2の整数、nは0〜1の整数を示す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(I)で表されるヒドロキシナフタレン化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/004 , G03F 7/023 , G03F 7/039

FI (3件)：

G03F7/004 501 , G03F7/023 , G03F7/039 601

Fターム (18件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB28 , 2H025CB29 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-136637号公報 4〜6頁表1
特開昭61-185741号公報 4〜5頁表1
特開昭63-178229号公報 4〜6頁表2

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