特許
J-GLOBAL ID:200903086861428521

ダイヤモンド相炭素管及びその製造の為のCVD方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外7名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-504824
公開番号(公開出願番号):特表平10-502971
出願日: 1995年07月17日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】化学蒸着(CVD)技術を使用するダイヤモンド成長による中空ダイヤモンド管の製造方法。ダイヤモンド核形成部位を有する、適当な材料、例えば、タングステン、モリブデン、銅又は珪素が、一般にはワイヤー形状で、螺旋に形成される。螺旋は、次いで、螺旋上にダイヤモンドを沈着する為のCVD室に配置され、或いは移動される。螺旋の適当なピッチ及直径が、ダイヤモンドの成長表面が融合し、中空ダイヤモンド管を形成するまで、螺旋上にダイヤモンド沈着をもたらす。
請求項(抜粋):
ダイヤモンド核形成部位を確立する為に前処理された表面を有する細長い基体材料をダイヤモンド被覆する方法であって、以下の工程: (i) 細長い材料を、螺旋のピッチが、その螺旋の直径よりも小さい実質的に螺旋形態に巻く工程、 (ii)螺旋の隣接ピッチに沈着したダイヤモンドの成長表面が融合して、螺旋のピッチを閉じ、中空ダイヤモンド管を形成する様に、化学蒸着によって、その細長い基体材料の上にダイヤモンドの沈着によって細長い基体材料を封入する工程、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件):
C23C 16/44 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04
FI (3件):
C23C 16/44 A ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 X

前のページに戻る