半導体素子の微細パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351625
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205081
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は、縮小露光装置の分解能以下の精密な微細パターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係わる半導体素子の微細パターン形成方法においては、半導体基板10上に第1の薄膜11と第2の薄膜12を形成し、第2の薄膜12上に形成した第1の感光膜13を第1の露光マスク20で選択的に除去して第1の感光膜パターン13aを形成し、第2の感光膜22を第2の露光マスク30で選択的に除去してベーキングされた第1の感光膜パターン13bの間に第2の感光膜パターン22aを形成し、第2の感光膜パターン22aをマスクに、PE酸化膜21を選択的に除去し、第1及び第2の感光膜パターン13b,22aをマスクに、第1の薄膜11を選択的に除去して第1の薄膜パターン11aを形成することにより、精密な微細パターンの形成が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を提供する工程と、前記半導体基板上に下部層を形成する工程と、前記下部層上に第1の感光性膜を形成する工程と、前記第1の感光性膜を第1の露光マスクで選択的に除去し、第1の感光性膜パターンを形成する工程と、前記第1の感光性膜パターンを形成した半導体基板上の露出した全表面上に中間媒介物質層を形成する工程と、前記中間媒介物質層上に第2の感光性膜を形成する工程と、前記第2の感光性膜を第2の露光マスクで選択的に除去し、前記第1の感光性膜パターンの間に位置するように第2の感光性膜パターンを形成する工程と、前記第2の感光性膜パターンをマスクにして、前記中間媒介物質層を選択的に除去して前記第1の感光性膜パターンを露出させる工程と、前記第1及び第2の感光性膜パターンをマスクにして、前記下部層を選択的に除去して前記半導体基板上に下部層パターンを形成する工程と、を含んで構成されることを特徴とする半導体素子の微細パターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/302 J , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 502 C , H01L 21/30 573 , H01L 21/306 B

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