特許
J-GLOBAL ID：200903086864326754
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039637
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234991
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、吸水性及び平坦性に優れた表面保護膜を有する半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体素子が形成された基板上の絶縁膜(1)の所定部分には上層配線(2)が施されている。この上層配線(2)を含む絶縁膜(1)上には、第1のSiN層(41)、SOG-SiO2 層(7)、及び第2のSiN層(42)が順次積層されて表面保護膜を形成している。上述の構造によれば、表面保護膜の上層を形成する第2のSiN層(42)にごくわずかに存在するピンホールを透過して浸入する水分、あるいは膜厚が比較的薄い段差側壁部を通して浸入する水分は、吸水性のあるSOG-SiO2 層(7)で吸収される。このため、浸入してきた水分が上層配線(2)上に積層されている第1のSiN層(41)まで到達するのを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
上面が表面保護膜により被覆されている半導体装置において、前記表面保護膜は、耐湿性を有する第1のシリコン化合物層と、SOG-シリコン酸化物層と、耐湿性を有する第2のシリコン化合物層とが順次積層された3層構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/02
, H01L 21/316
