特許
J-GLOBAL ID:200903086865732950

サージ吸収素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 邦夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-243448
公開番号(公開出願番号):特開平9-092428
出願日: 1995年09月21日
公開日(公表日): 1997年04月04日
要約:
【要約】【課題】安定した放電開始電圧と、寿命の長いサージ吸収素子を得る。【解決手段】抵抗体42の片側もしくは両側に絶縁層46を介して両側に電極層48が被着形成されたサージ吸収セル40を有し、このサージ吸収セル40が金属飛散防止層を有する一対の封止電極52,54を介して不活性ガスを封入したガラス管20内に封止されてサージ吸収素子10が構成される。絶縁層46によってマイクロギャップが構成される。その膜厚がマイクロギャップ幅となる。封止電極の管内端面には放電時に金属が飛散しないように防止層58がコーティングされる。絶縁層の膜厚はCVD法などによって精密にコントロールできるので放電開始電圧を正確に設定できる。放電時金属がガラス管内に飛散しないので放電開始電圧の安定化と素子の長寿命化を図れる。
請求項(抜粋):
抵抗体の片側もしくは両側に絶縁層を介して両端に電極層が被着形成されたサージ吸収セルを少なくとも1つ以上有し、このサージ吸収セルが一対の金属飛散防止層を有する封止電極を介して不活性ガスを封入したガラス管内に封止されて構成されると共に、上記絶縁層によってマイクロギャップが構成されたことを特徴とするサージ吸収素子。

前のページに戻る