特許
J-GLOBAL ID：200903086867266051
受光素子および光電子集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086335
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302842
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、リーク電流を低減して特性が向上するpin型受光素子およびこれを集積化して受信感度が向上する光電子集積回路を提供する。【構成】 半絶縁性のInPからなる基板1上に、InPからなるバッファ層4、SiをドープしたInPからなるn層5、GaInAsからなるi層6、ZnをドープしたGaInAsからなるp層7が順次積層され、pin-PDを構成している。これら半導体層の表面には、その所定位置にn-オーミック電極8およびp-オーミック電極9が形成されている。p層7は、Zn濃度1×1018cm-3でi層6に接合しているp- 層7aと、Zn濃度1×1019cm-3でp- 層7aに接合しているp+ 層7bとの2層から構成されており、p層7とi層6との接合面付近におけるp層7内の不純物濃度が従来よりも低下している。そのため、p-i層間の格子欠陥が発生しにくくなり、かつ、p-i層間の電界が低下するので、発生するリーク電流は減少する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1導電型の不純物がドープされた第1導電型半導体層、高抵抗半導体層、第2導電型の不純物がドープされた第2導電型半導体層を順次堆積して形成した受光素子において、前記第2導電型の不純物濃度は、前記高抵抗半導体層に接合する前記第2導電型半導体層の表面から該第2導電型半導体層の厚さ方向に段階的に増加するように形成されていることを特徴とする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 J
