特許

J-GLOBAL ID：200903086868440128

窒化シリコン膜の形成方法

発明者： 神山 道也
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220811
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062971
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】基板に高周波バイアスパワーの印加可能なECRプラズマCVD装置を用いて基板表面に窒化シリコン膜を形成する際の窒化シリコン膜の形成方法として、段差部の被覆性が良く、かつ形成された膜の内部応力が圧縮応力で10×109 dyne/cm2 以下となる膜形成方法を提供する。【構成】窒化シリコン膜を、基板に印加する高周波バイアスパワーの大きさを変えることにより、内部応力が圧縮応力で5×109 dyne/cm2 以下の膜と、10×109 dyne/cm2以上の膜とを積層して形成する膜形成方法とする。この方法の効果をより大きくするため、最表面層の膜には10×109 dyne/cm2 以上の膜を、また最下層の膜には5×109 dyne/cm2 以下の膜を形成するようにする。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成領域と、このプラズマ生成領域と連通状態に接する反応領域と、高周波電源とを備えた電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置を用い、プラズマ生成領域に窒素の単体ガス、又は窒素元素を有する化合物ガスを導入してプラズマ化し、このプラズマを反応領域に流出させつつ反応領域にシランガスを導入して、高周波電源から高周波バイアスパワーが供給される反応領域内の基板に窒化シリコン膜を形成する際の膜形成方法において、窒化シリコン膜を、前記高周波電源から基板に供給される高周波バイアスパワーの大きさを変えることにより、内部応力が圧縮応力で5×109 dyne/cm2 以下の膜と、10×109 dyne/cm2 以上の膜とを積層して形成することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/318 ,  C23C 14/44 ,  C23C 16/34 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/30