特許
J-GLOBAL ID：200903086868478630
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226374
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】広い動作範囲と高利得の特長を合わせ持つ高速のトランジスタを提供する【構成】 このトランジスタは、デルタドープ層(n型)を少なくとも1つ含むGaAs層140の上下にノンドープのGaInAs層130a,130bを配置した3層構造のチャネル層を有する。三層構造のチャネル層の上下には、ノンドープのGaAs層であるキャップ層150、バッファ層120が設けられ、基板110上に形成されている。ゲート電極340と、ゲート電極に対して自己整合的に形成されたソース領域350a,ドレイン領域350b,ソース電極360,ドレイン電極370が形成されている。
請求項（抜粋）：
ドレイン-ソース間のチャネルに流れる電流の制御がゲート電極に加える電圧によってなされる半導体装置であって、n型ドーパントを含む少なくとも1つの2次元状の層及びこの2次元状の層それぞれを挟むノンドープ層からなるGaAs層と、このGaAs層を挟むノンドープGaInAs層とで構成されたチャネル層を有し、前記ゲート電極に電気的につながれ、GaInAsよりもバンドギャップの大きいノンドープの半導体からなるキャップ層と、GaInAsよりもバンドギャップの大きいノンドープの半導体からなるバッファ層とを前記チャネル層の両側に備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H03F 3/189
