特許

J-GLOBAL ID：200903086870112170

金属配線およびそれを用いた薄膜トランジスタとTFT液晶表示装置と金属配線の形成方法

発明者： 中村 和▲吉▼ ,  今田 龍夫 ,  中谷 昌弘 ,  岩▲崎▼ 勝男 ,  大塚 玲 ,  松永 浩二 ,  桑田 純 ,  土橋 友次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297185
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 金属配線のヒロックの発生を抑制するとともに段差を緩やかにして、上部に形成する絶縁膜のカバーレッジを良好にする。【構成】 Alを主成分とする薄膜の積層膜からなり、かつ積層膜の上層膜をTaを添加したAl薄膜とすることにより、ヒロックの発生を抑制できる。さらに、積層膜の断面テーパー角θ1 を30 ゚以上、90 ゚未満とし、かつ積層膜の断面テーパー角θ2 を130 ゚以上、180 ゚未満として段差を緩やかにし、金属配線の上部に形成する絶縁膜のカバーレッジを良好にできる。この金属配線を薄膜トランジスタのゲート電極に用いることにより、層間絶縁膜の絶縁不良をなくし、ゲート電極の断差部に半導体層であるa-Siの残さがなく、またソース電極・ドレイン電極に用いることにより、保護絶縁膜のカバーレッジが良好となる。

請求項（抜粋）：

基板上にパターン化されたAlを主成分とする薄膜の積層膜からなり、前記積層膜の上層膜がTaを添加したAl薄膜からなる金属配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-252593   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-353830
  
• アクティブマトリックス液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198738   出願人：株式会社日立製作所