特許

J-GLOBAL ID：200903086872667676

浅い接合の形成方法

発明者： ワイナー,カート,エイッチ.
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ カリフォルニア
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-500274
公開番号（公開出願番号）：特表平11-506567
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】ドーピングシーケンスは、コンプリメンタリー金属酸化物シリコン(CMOS)集積回路技術におけるソース/ドレイン領域(11、12)の形成のコスト及び複雑さを軽減する。そのプロセスは、パターン化されたエクサイマーレーザによるアニールの使用、ドープ剤が飽和したスピンオングラス(21)、珪化物の接触構造(18、19)、及び薄い誘電体層により生じ、極端に浅い深さであるが低い面積抵抗及び接触抵抗を示すソース-ドレイン接合(23、24)を生成する干渉効果を結合する。本プロセスは、フォトリソグラフィーを使用せず、高価な真空装置を使用せずに実現することができる。本プロセスのマージンは広く、超浅い接合ドープ剤の接触による歩留まりの低下が排除される。

請求項（抜粋）：

集積回路の少なくともソース及びドレイン領域において浅い接合を形成する改良された方法において、 少なくともソース及びドレイン領域に、ドープされていない珪化物層を設ける工程と、 少なくともドープされていない珪化物層上に、ドープされた誘電体材料層を蒸着する工程と、 少なくともソース及びドレインを覆うドープされた誘電体材料上にパターン化されたパルスレーザエネルギーを与え、誘電体材料中のドープ剤を珪化物中へ拡散させる工程と、 誘電体材料を除去する工程と、 少なくともソース及びドレイン領域上の珪化物をアニールし、珪化物からのドープ剤を移動させて、ソース及びドレイン領域内で100nm未満の厚さを有するドープされた材料の接合を形成する工程と、を備える方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 27/08 102 B