特許

J-GLOBAL ID：200903086875556689

光変調器集積化光源

発明者： 平山 雄三 ,  遠山 政樹 ,  船水 将久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046117
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139551
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 簡単なプロセスで作成可能でかつ、消光特性等の優れた光変調器集積化光源を実現する。【解決手段】 InP基板1上に電界吸収型光変調器とDFB半導体レーザを集積化した光変調器集積化光源において、光変調器の主要部とレーザの主要部を同一構造の量子井戸層13,14とし、かつ光変調器の吸収スペクトルピークに対しレーザの利得ピークが長波長側にシフトするように、レーザ部の直列抵抗を大きくした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電界吸収型光変調器と半導体レーザが集積化された光変調器集積化光源において、前記光変調器の主要部と前記レーザの主要部が略同一構造のバルク層若しくは量子井戸層からなり、かつ光変調器の吸収スペクトルピークとレーザの利得ピークとを異ならせてなることを特徴とする光変調器集積化光源。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/103