特許

J-GLOBAL ID：200903086881803116

誘電体素子の製造方法

発明者： 後藤 隆 ,  山野 耕治 ,  高橋 誠一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212190
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054717
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 誘電体膜およびマスクの側壁への導電性材料の堆積による信頼性および歩留りの低下が防止された誘電体素子の製造方法を提供することである。【解決手段】 下部電極12、強誘電体膜13および上部電極14からなる強誘電体キャパシタを有する誘電体素子200を回転させながらマスク19を介して上部電極14の表面に対して斜め方向にイオンiを照射し、上部電極14および強誘電体膜13をエッチングによりパターニングする。

請求項（抜粋）：

誘電体膜と導電層との積層構造上にマスクを形成する工程と、前記マスクを介して前記積層構造の表面に対して斜め方向にイオンを照射することにより前記積層構造を加工する工程とを備えたことを特徴とする誘電体素子の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309662   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316342   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-171723
  
• 薄膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106928   出願人：セイコーエプソン株式会社