特許

J-GLOBAL ID：200903086884408536

半導体装置とその製造方法

発明者： 今西 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042181
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249759
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置とその製造方法に関し、減圧式有機金属気相成長法によってPを含む化合物半導体層の上にAsを含む化合物半導体層を成長する際、その間に介挿するAlP層の表面の結晶構造の劣化を防止する手段を提供する。【構成】 InP等のPを含む化合物半導体層または基板1の上に厚さ5〜10Å程度のAlP層3を減圧式有機金属気相成長法によって成長し、このAlP層3をPH3 雰囲気中で待機させることにより表面を安定化し、このAlP層3の上に、InGaAs層、InAlAs層4またはInGaAs/InAlAsからなるヘテロ結晶層等のAsを含む化合物半導体層を減圧式有機金属気相成長法によって成長して、高品質のヘテロ構造を形成し、その結果、特性の優れたHEMT等の半導体装置を実現する。

請求項（抜粋）：

InP等のPを含む化合物半導体基板の上に、PH3 雰囲気中で待機することによって表面を安定化したAlP層と、Asを含む化合物半導体層またはその混晶層をこの順で減圧式有機金属気相成長法によって成長した半導体積層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223