薄膜形成方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239733
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060655
出願日： 1996年08月22日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、薄膜の膜中における水素含有量を制御することにより、高密度で、カバレージが良く、クラックが入りにくく、耐湿性を向上させた薄膜形成方法および装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、被覆基体を保持するホルダと、スパッタ用ターゲットが載置された電極とを含む成膜室と、前記電極に直流又は高周波電力を印加する手段と、前記成膜室にガスを供給する手段と、前記成膜室から排気する手段と、無端環状導波管を介してマイクロ波電力を前記成膜室に供給する手段とを備え、前記成膜室にガスを導入し、前記無端環状導波管を介して導入されたマイクロ波電力によりプラズマを生成すると共にスパッタ用ターゲット電極に印加し、前記薄膜の膜中にとりこまれる水素含有量を制御して被覆基体上に薄膜を形成することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

被覆基体を保持するホルダと、スパッタ用ターゲットが載置された電極とを含む成膜室と、前記電極に直流又は高周波電力を印加する手段と、前記成膜室にガスを供給する手段と、前記成膜室から排気する手段と、無端環状導波管を介してマイクロ波電力を前記成膜室に供給する手段とを備え、前記成膜室にガスを導入し、前記無端環状導波管を介して導入されたマイクロ波電力によりプラズマを生成すると共にスパッタ用ターゲット電極に印加し、前記薄膜の膜中にとりこまれる水素含有量を制御して被覆基体上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (6件)：

C23C 16/50 , C23C 14/34 , G03G 5/08 105 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 16/50 , C23C 14/34 U , G03G 5/08 105 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/31 D

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