特許
J-GLOBAL ID：200903086891041460
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060557
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波のエネルギーにより均一なプラズマを発生させ、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。【解決手段】 マイクロ波電源部及び導波管を昇降機構により昇降できるように構成し、これにより導波管の下端部の拡径部に設けられた平面スロットアンテナの高さレベルを調整できるようにし、更にアンテナの下方側の側周部をシールド部材で囲む。一方真空室の側壁部に窓を設け、この外に光センサアレイを配置して、プラズマのシース領域の下限レベル(シースレベル)を監視する。予めシースレベルとアンテナとの理想距離を把握しておき、その理想距離が得られるように、検出したシースレベルに基づいてアンテナの高さを調整する。またシースレベルとX波のカットオフ密度が得られるレベル(X0)との差は一定であるので、シースレベルの代りにX0を監視するようにしてもよい。
請求項（抜粋）：
高周波電源部から平面状のアンテナ及び高周波透過窓を通じて真空室内にプラズマ生成用の高周波を供給し、真空室内に供給された処理ガスを前記高周波のエネルギ-によってプラズマ化し、そのプラズマにより、真空室内の載置台に載置された基板に対して処理を行うプラズマ処理装置において、前記アンテナを真空室に対して相対的に昇降させるための昇降機構と、前記アンテナと高周波透過窓との間の領域を囲むように設けられた電磁波シ-ルド部材と、前記高周波透過窓とプラズマの発光領域との間に形成される前記高周波のカットオフ密度となる高さレベルを推定する推定部と、この推定部の推定結果に基づいて、アンテナと真空室内における前記プラズマ生成用の高周波のカットオフ密度となる高さレベルとの間の領域である前記高周波の空洞領域が適切な大きさとなるように昇降機構を介してアンテナの高さレベルを制御するための制御部と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/511
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/205
, C23C 16/511
, C23F 4/00 D
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 B
