特許
J-GLOBAL ID:200903086893367303

成形されたマンドレルを使用する隆起部分を有するセミアディティブ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-229742
公開番号(公開出願番号):特開平5-198926
出願日: 1992年08月28日
公開日(公表日): 1993年08月06日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、隆起部分を有する多層回路をマンドレルを使用して製造するための簡単で安価、迅速に製作することのできるマンドレルを提供することを目的とする。【構成】 1つ以上の窪み12を有するマンドレル10を形成し、フラッシュ鍍金によって導電材料14をこのマンドレル10および窪み12に被覆し、回路トレース18,20のパターンをフォトレジストパターン16を利用して窪み12中を含む被覆物14上にアディティブに形成し、フォトレジストパターン16を除去した後に誘電体基体26をトレース18および20に対して積層し、トレース18、基体26、および被覆物14をマンドレル10から除去して回路トレース20の平面から突出する隆起部分24を有する回路トレース20を形成することを特徴とする。
請求項(抜粋):
1つ以上の窪みを有するマンドレルを形成し、導電材料によって前記マンドレルおよび窪みを被覆し、回路トレースのパターンを前記被覆物上および前記窪み中にアディティブに形成し、誘電体基体を前記トレースおよび窪みに対して積層し、前記トレース、基体、および被覆物を前記マンドレルから除去する段階を含み、前記アディティブに形成する段階では前記回路トレースの平面から突出する隆起部分を形成することを特徴とする隆起部分を有する多層回路の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/20 ,  B28B 7/28
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭59-197191
  • 特開昭63-045888
  • 特公昭35-010580

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