特許
J-GLOBAL ID：200903086894980491
光電素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351095
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216457
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 従来問題点を除去した変形半導体積層を有する光電素子構造を提供すること。【構成】 本発明の光電素子は III-V族基板と、同基板上に配置された下位n形ドープ III-V族材料半導体封入層と、少なくとも一つの活性の意図せずにドープされた III-V族材料半導体層が下位封入層上に配置された活性領域と、同活性領域を被覆する上位のn形ドープされた III-V族材料半導体封入層と、素子の2つの反対面上に配置された2つの金属コーチングと、上位封入層からのドーピングイオンの拡散を停止させるための高度にn形ドープされた四元 III-V族材料半導体層と、から成り、前記活性層の禁制エネルギー帯が封入層のそれよりも低く、前記停止層が活性層のそれよりも小さな厚さを有すると共に活性領域の一部を構成する。
請求項（抜粋）：
III-V族基板と、同基板と接触する下位n形ドープした III-V族材料半導体封入層と、前記封入層上に配置された少なくとも一つの意図的にではなくドープされた III-V族材料半導体層を有する活性領域と、前記領域を被覆する上位のP形ドープした III-V族材料半導体封入層と、前記上位封入層上に配置された第1の金属コーチングと、基板上に配置された第2の金属コーチングと、を備え、活性層の禁制エネルギー帯が前記封入層のそれよりも下部に位置するものにおいて、前記活性層と上位封入層の間に、上位封入層からのドーピングイオンの拡散を停止させる強くn形ドープされた四元 III-V族材料半導体層を備え、前記停止層が活性層のそれよりも小さい厚さを有すると共に活性領域の一部を構成する前記光電素子。
引用特許：
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