特許

J-GLOBAL ID：200903086898844789

ガーネット単結晶育成方法及びガーネット単結晶基板

発明者： 大井戸 敦 ,  佐藤 淳 ,  嶋川 和也
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-280842
公開番号（公開出願番号）：特開2003-089598
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ファラデー回転子等に用いられるBi置換希土類鉄ガーネット材料を液相エピタキシャル法により製造するための優れた品質を備えた大型のネオジウムガリウムガーネット単結晶基板及びそれを得るためのネオジウムガリウムガーネット単結晶育成方法を提供することを目的とする。【解決手段】結晶引上げ法によりネオジウムガリウムガーネット(Nd3Ga5O12)単結晶を育成する際、原材料融液表面で回転させる種子結晶の回転数xが3≦x≦20(rpm)であり、原材料融液表面から垂直上方に向かう方向での温度分布yを-100≦y≦-50(°C/cm)になるように制御する。

請求項（抜粋）：

結晶引上げ法によりネオジウムガリウムガーネット単結晶を育成する単結晶育成方法であって、原材料融液表面で回転させる種子結晶の回転数xが、3≦x≦20(rpm)であることを特徴とする単結晶育成方法。

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BC23 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA10 ,  4G077EH07 ,  4G077EH08 ,  4G077HA03 ,  4G077PG01