特許
J-GLOBAL ID：200903086900416013
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114697
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 大容量の容量素子を容易に得る。【構成】 化合物半導体11上に誘電体材料膜15を設け、この誘電体材料膜15を焼結することにより半導体集積回路中の容量素子を構成する比誘電率の高い誘電体21あるいはゲート電極もくしは配線を構成する超電導体を形成する。誘電体材料膜15の焼結は、電界効果トランジスタの活性層形成熱処理工程(アニール工程)と同時に行う。【効果】 配線間容量を増加させることなく、また集積度の低下,耐圧の低下,配線の分離性能に影響を与えることなく大容量の容量素子を得ることができる。また、電界効果トランジスタのゲート抵抗もしくは半導体集積回路の配線抵抗を減少させ、高周波特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体を用いて半導体集積回路を製造する化合物半導体装置の製造方法であって、前記化合物半導体上に誘電体材料膜を設け、この誘電体材料膜を焼結することにより前記半導体集積回路中の容量素子を構成する比誘電率の高い誘電体を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 27/108
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 27/10 325 M
, H01L 29/80 B
