特許
J-GLOBAL ID：200903086902915459
圧電薄膜振動子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349647
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204776
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 犠牲膜を形成することなしに、ウエハ片面だけのフォトリソ工程という簡単な製造プロセスで、容易にSiウエハ表面に圧電薄膜振動子を形成する。【構成】 (100)Siウエハ1の異方性エッチングを行って圧電薄膜振動子を形成する工程において、(100)Siウエハ1を異方性エッチングする際に、ガラスマスク21を用い、矩形開口部の一辺が(100)Siウエハ1の(110)軸と角度θ(例えば、20°〜45°)をなすように該(100)Siウエハ1の裏面にエッチング用マスクパターンを形成し、このマスクパターンを用いて異方性エッチングを行い、該(100)Siウエハ1内に圧電薄膜振動子を架設するための穴を形成する。
請求項（抜粋）：
(100)Siウエハの片面に、エッチング用の矩形開口部を有するエッチング用マスクパターンを形成し、前記エッチング用マスクパターンを用い、前記(100)Siウエハに対する異方性エッチングを行って該(100)Siウエハに穴を形成し、前記穴上に電極付きの圧電薄膜を架設形成する圧電薄膜振動子の製造方法において、エッチング用マスク材である絶縁膜に前記エッチング用の矩形開口部を形成する場合に、該矩形開口部の一辺が前記(100)Siウエハの(110)軸と0でない角度をなすように前記エッチング用マスクパターンを形成し、このエッチング用マスクパターンを用いて前記異方性エッチングを行うことを特徴とする圧電薄膜振動子の製造方法。
IPC (4件)：
H03H 3/02
, H01L 21/306
, H03H 9/17
, H01L 41/24
