特許
J-GLOBAL ID：200903086904567105
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020870
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】データ出力バスの本数を低減しチップ面積を小さくする。【構成】データ増幅器1の出力データを1本のデータ出力バスDOでデータ出力回路4の一方の入力端に伝達する。データ出力回路4の他方の入力端にはデータ出力バスDOのデータを反転回路IV2を介して伝達する。データを伝達する前に、中間電位発生回路3からの中間電位Vmdをデータ出力バスDOに供給しこれを中間電位にする。
請求項（抜粋）：
活性化信号により活性化し対をなす第1及び第2のデータ入出力バス間の差電位を増幅しこの差電位と対応したレベルのデータを出力するデータ増幅器と、このデータ増幅器の出力データを伝達するデータ出力バスと、このデータ出力バスを伝達するデータの高レベル及び低レベルの中間のレベルの中間電位を発生する中間電位発生回路と、制御信号により導通し前記データ出力バスに前記中間電位発生回路からの中間電位を供給するトランジスタと、それぞれ所定のタイミングで所定の期間能動レベルとなる前記活性化信号及び制御信号を発生する制御回路と、前記制御信号のレベルを反転する第1の反転回路と、この第1の反転回路の出力信号により活性化し前記データ出力バスのデータのレベルを反転する第2の反転回路と、この第2の反転回路の出力データ及び前記データ出力バスのデータのレベルに対応したレベルの信号を出力するデータ出力回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
G11C 11/409
, H01L 27/10 471
