特許

J-GLOBAL ID：200903086906011449

窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法

発明者： 岡崎 均 ,  小田 修
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-071496
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 基板上にエピタキシャル成長させた窒化ガリウム層の剥離性が良く、容易に窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 Gaペロブスカイト基板またはAlペロブスカイト基板の{101}面または{011}面上に、窒化ガリウムの単結晶層を100μm以上の厚さ、好ましくは200μm以上の厚さとなるようにハイドライドVPE法によりエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得る。

請求項（抜粋）：

ガリウムまたはアルミニウムを構成元素として含むペロブスカイト型の結晶構造を有する基板上に窒化ガリウムの単結晶層をエピタキシャル成長させた後に、該成長層を前記基板から剥離して窒化ガリウム単結晶の厚膜を得ることを特徴とする窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭61-007621
  
• 特公昭61-002635
  
• 特開平2-211620
  
• 特開平2-229475
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-007621
  
• 特公昭61-002635
  
• 特開平2-211620
  
• 特開平2-229475