特許

J-GLOBAL ID：200903086915495858

誘電体分離ウェーハおよびその製造方法

発明者： 大井 浩之
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359693
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183153
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 誘電体分離酸化膜上にボイドを発生させることなくポリシリコン層を成長可能な誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体分離溝13を有するシリコンウェーハ10表面に、酸化熱処理で誘電体分離酸化膜14を形成後、この膜14上に130Pa、約600°Cの減圧・低温CVD法で種ポリシリコン層15を成長させる。次に、種ポリシリコン層15上に、約1250°Cの高温CVD法で高温ポリシリコン層16を厚めに成長させる。減圧・低温CVD法はポリシリコンの成長速度が遅く、表面の平坦度が高い。よって種ポリシリコン層15表面を基面に高温CVD法で高温ポリシリコン層16を成長させると、この基面全体から均一な厚さでポリシリコンが成長する。結果、この膜14および高温層16間のボイドの発生が抑えられる。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン層と、このポリシリコン層の表面に形成され誘電体分離酸化膜により互いに絶縁された複数のシリコン島とを有する誘電体分離ウェーハにおいて、上記ポリシリコン層は、上記誘電体分離酸化膜との界面側に低温CVD法により成長させた種ポリシリコン層を有する誘電体分離ウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/76 V ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 S

Fターム (36件)：

5F032AA06 ,  5F032CA01 ,  5F032CA11 ,  5F032DA02 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F032DA78 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD16 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045EK02 ,  5F045GH09 ,  5F045HA14 ,  5F058BA02 ,  5F058BC01 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-081292
  
• 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-340327   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社