特許

J-GLOBAL ID：200903086917522224

バリウム化合物薄膜の製造方法

発明者： 佐藤 弘次 ,  菅原 駿吾
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221721
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017142
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】気化性、熱安定性および薄膜形成の再現性において優れた性能を持つ特定のバリウム化合物を用い、CVD法によって高品質のバリウム元素を含む酸化物超伝導体薄膜などの各種のバリウム化合物薄膜を製造する方法を提供する。【構成】化学気相成長法により、基材上にバリウム元素を含む薄膜の製造方法において、BaR2(R:アルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基、置換シクロペンタジエニル基のうちの少なくとも1種を表わす。)で示されるバリウム化合物もしくはこれと酸素含有化合物、窒素含有化合物とのアダクツ化合物を用いる。【効果】薄膜の成長再現性がよく、高品質の酸化物超伝導体薄膜などのバリウム化合物薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

気相反応容器内に所定の基材を設置し、バリウムを含む化合物、その他の薄膜構成元素を含む化合物、および反応性ガスを気相で導入して、化学気相成長法により上記基材上にバリウム元素を含む薄膜を製造する方法において、上記バリウム元素を含む化合物として、一般式BaR2(式中、Rはアルケニル基、ベンジル基、フッ素置換ベンジル基、置換シクロペンタジエニル基のうちの少なくとも1種を表わす。)で示されるバリウム化合物を用いることを特徴とするバリウム化合物薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C07F 3/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA