特許
J-GLOBAL ID：200903086919167073
シリカ薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339522
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330326
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【構成】 不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1)R1nSi(OR2)4-n ...(1)(但し、R1は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基、R2は低級アルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で示されるシラン化合物をガス状で供給して、基体上にシリカ薄膜を堆積する。【効果】 本発明による大気圧グロー放電ビームプラズマを用いたシリカ薄膜の製造方法は、大気中で基体上に堆積することが可能であり、また、比較的低温で堆積が可能であるため、種々広範な基体を選択することができる。
請求項（抜粋）：
不活性ガスをメインガスとして発生させた大気圧グロー放電ビームプラズマに下記一般式(1) R1nSi(OR2)4-n ...(1)(但し、R1は水素原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基、R2は低級アルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で示されるシラン化合物をガス状で供給して、基体上にシリカ薄膜を堆積することを特徴とするシリカ薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/40
, H01L 21/316
