特許
J-GLOBAL ID：200903086932402804
レジストマスクの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-114205
公開番号（公開出願番号）：特開平11-295903
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 レジストを基板表面に塗布した後、露光し、現像を行うにあたって、現像液中の溶存ガス例えば溶存窒素が気泡となって現像液とレジスト膜の表面部との間に介在し、現像欠陥になるという問題を解決する。【解決手段】 露光後の基板に対し、レジスト膜の表面部に、露光に用いられた光の波長よりも短い紫外領域の光を例えば室温で1〜2秒照射し、レジスト膜の表面部を疎水性から親水性に変え、その後現像工程を行う。レジスト膜の表面部が親水性になると、現像液中の気泡が付着しても浮上するので現像欠陥が起こらない。
請求項（抜粋）：
基板にレジスト膜を形成する工程と、この基板に対して露光処理を行う工程と、次いでレジスト膜の表面部を親水性にするレジスト改質工程と、その後前記基板のレジスト膜に現像液を供給して現像し、レジストマスクを得る工程と、を含むことを特徴とするレジストマスクの形成方法。
引用特許：
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