特許

J-GLOBAL ID：200903086941168318

シリコン結晶材料およびその製造方法ならびに積層体

発明者： 山中 昭司 ,  時永 雄介 ,  森口 晃治 ,  亀井 一人
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201095
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】【課題】 これまで合成が不可能と考えられてきたSiのsp2ネットワークを有するシリコン結晶材料を提供する。【解決手段】 該結晶材料は、1つのシリコン原子とそれを三角形状に取り囲む3つのシリコン原子とがほぼ同一の平面上に配置されたシリコンネットワーク構造を、シリコン原子の空間的配置における繰返しパターンとして有する。該結晶材料は、LaSi2等のα-ThSi2型構造を有する結晶材料上に、シリコンまたはシリコン化合物を原料として用いて、気相からエピタキシャル成長させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる結晶材料であって、1つのシリコン原子とそれを三角形状に取り囲む3つのシリコン原子とが同一またはほぼ同一の平面上に配置されたシリコンネットワーク構造を、シリコン原子の空間的配置における繰返しパターンとして有することを特徴とする、シリコン結晶材料。

IPC (7件)：

C30B 29/06 504 ,  C01B 33/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/52 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (9件)：

C30B 29/06 504 F ,  C01B 33/02 Z ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/14 D ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/52 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

Fターム (64件)：

4G072AA01 ,  4G072AA19 ,  4G072BB02 ,  4G072BB09 ,  4G072BB11 ,  4G072FF09 ,  4G072GG02 ,  4G072HH01 ,  4G072HH04 ,  4G072HH09 ,  4G072NN09 ,  4G072NN13 ,  4G072NN24 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077DA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB21 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045CA13 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04