特許
J-GLOBAL ID：200903086945624970
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044090
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242000
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】半導体装置において、多結晶シリコンからなる活性層でのトラップ準位を効果的に減少しながら、絶縁や保護用の層本来の機能を定常的に発揮できるようにするとともに装置機能の劣化を回避できるようにすること。【構成】多結晶シリコンからなる活性層3、複数の層間絶縁層4,7、金属層5,8,10ならびに保護層9から構成される半導体装置において、層間絶縁層4,7の少なくとも一つまたは保護層9の素材を、予め必要要素としない水素を含むセラミックス前駆体ポリマーとしている。これにより、セラミックス前駆体ポリマーを形成するときの焼成時に、水素が放出され、この水素が多結晶シリコンからなる活性層3のシリコン原子のダングリングボンドに結合して終端することになり、それによって安定状態となる。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンからなる活性層、複数の層間絶縁層、金属層ならびに保護層から構成される半導体装置であって、該層間絶縁層の少なくとも一つまたは保護層が、焼成により水素を放出してセラミックスに転化するセラミックス前駆体ポリマーにより形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 612 B
