特許
J-GLOBAL ID:200903086945862138
半導体発光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-289622
公開番号(公開出願番号):特開2009-117641
出願日: 2007年11月07日
公開日(公表日): 2009年05月28日
要約:
【課題】高い偏光比の偏光を出射する半導体発光素子を提供する。【解決手段】非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層12を有し、活性層12から偏光を発生する発光部3と、偏光を取り出す光取り出し面3aに設けられ、偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリット40とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
非極性面又は半極性面を成長主面とするIII族窒化物半導体からなる活性層を有し、前記活性層から偏光を発生する発光部と、
前記偏光を取り出す光取り出し面に設けられ、前記偏光の波長より狭いラインアンドスペースであるスリット
とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L33/00 C
, H01L33/00 E
Fターム (8件):
5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041FF11
前のページに戻る