半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143735
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135262
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】SAMOSのフローティングゲートからの選択酸化膜の突出量を増やさずにフローティングゲートの上縁部の尖鋭さを増すこと。【構成】選択酸化膜(29)を形成する前にフローティングゲート(30)となる半導体膜(23)の上部に凹部(28)を形成し、その凹部(28)にある半導体膜(23)を選択酸化して選択酸化膜(29)を形成することにより、フローティングゲート(30)からの選択酸化膜(29)の突出量を増やさずにフローティングゲート(30)の上縁部の尖鋭さを増す。

請求項（抜粋）：

半導体層(21)の上に第一の絶縁膜(22)を介して第一の半導体膜(23)と酸化防御膜(24)を形成する工程と、前記酸化防御膜(24)をパターニングして開口(27)を形成する工程と、前記開口(27)から露出した前記第一の半導体膜(23)を等方性エッチングして凹部(28)を形成する工程と、前記酸化防御膜(24)をマスクにして、前記凹部(28)から露出した前記第一の半導体膜(23)の表面を熱酸化して絶縁性の選択酸化膜(29)を形成する工程と、前記前記酸化防止膜(24)を除去する工程と、前記選択酸化膜(29)をマスクにして前記第一の半導体膜(23)を選択エッチングし、前記選択酸化膜(29)の下に残存した前記第一の半導体膜(22)をフローティングゲート(30)とする工程と、少なくとも前記選択酸化膜(29)の上と前記フローティングゲート(30)の側部に、絶縁膜(31)を介してコントロールゲート(32)を形成し、前記フローティングゲート(32)の両側にある前記半導体層(21)に不純物拡散領域(33,34)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

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