特許
J-GLOBAL ID：200903086948399153
半導体単結晶育成装置および育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138089
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：
【要約】【目的】 大口径、大重量の単結晶を引き上げる際にネック部が高温に曝されて破断することを防止し、ネック部の引張強さが高い状態で単結晶を引き上げることができるようにする。【構成】 シードチャック8内に熱電対11を装着し、種子結晶10の温度からネック部9の温度を検出する。引き上げシャフト1を内管2と外管3とからなる二重管構造とし、ネック部9の温度が800°Cを超えている間は前記引き上げシャフト1内を流通する冷却水によりシードチャック8、種子結晶10を介してネック部9を冷却する。ネック部9の温度が600°Cに下がったら、ヒータ(図示せず)を下降させてネック部9を包囲し、ネック部9が600〜800°Cを保つように加熱する。前記冷却および加熱は図示しない制御装置によって制御される。これにより、ネック部9の引張強さは最大付近に維持され、破断することがない。
請求項（抜粋）：
ネック部の温度検出手段と、ネック部冷却手段と、ネック部加熱手段と、ネック部の温度検出結果に基づいて前記ネック部の温度を所定の範囲に維持するようにネック部冷却手段およびネック部加熱手段を制御する手段とを備えたことを特徴とする半導体単結晶育成装置。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/20
, H01L 21/208
