特許

J-GLOBAL ID：200903086954640369

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 藤原 剛 ,  今井 俊則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130003
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323569
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率膜を適用した多層配線を有する半導体集積回路装置を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】 下層配線3と上層配線5とを接続するプラグ7の柱を形成した後に、プラグ7の周囲に低誘電率膜4aを設け、さらに低誘電率膜4aの上層にプラズマCVDにより形成した酸化シリコン膜4bを設けているので、低誘電率膜4aには微細加工を必要とせず、さらに低誘電率膜4aがO2 プラズマに晒されるのを防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

下層配線上に層間絶縁膜を挟んで上層配線が設けられ、前記下層配線と前記上層配線とはプラグを介して接続された多層配線を備えた半導体集積回路装置であって、前記下層配線の側壁および前記プラグの側壁に第1の絶縁膜からなるサイドウォールがそれぞれ形成され、前記層間絶縁膜は低誘電率膜の上層に第2の絶縁膜が設けられた積層膜を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 A

Fターム (34件)：

5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN19 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24