水素化アモルファス薄膜形成方法、それに用いる装置、該薄膜を形成した気体動圧軸受、スピンドルモータ及び回転体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：細井勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-244399
公開番号（公開出願番号）：特開2000-064053
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】【課題】凹陥部を有する被処理体をプラズマCVD法により薄膜形成処理するに当たり、凹陥部の内周面に水素化アモルファス薄膜を均一に被覆形成する。【解決手段】真空槽1内に収納した被処理体4を板状電極3の上面に載置支持し、被処理体4の凹陥部5に棒状電極2を挿入し、真空槽1内に反応ガスを導入して電圧を印加する。上記凹陥部5内にプラズマが発生し、凹陥部内周面5aに水素化アモルファス薄膜が均一に被覆形成される。

請求項（抜粋）：

凹陥部を有する被処理体をプラズマCVD法により薄膜形成処理するに当たり、被処理体の凹陥部に棒状電極を挿入し、凹陥部内に反応ガスを導入して電圧を印加し、プラズマを発生させて、少なくとも凹陥部内周面に水素化アモルファス薄膜を形成するようにしたことを特徴とする水素化アモルファス薄膜形成方法。

IPC (7件)：

C23C 16/503 , C23C 16/509 , C01B 21/068 , C01B 31/02 101 , C01B 31/36 601 , C01B 33/04 , F16C 33/12

FI (7件)：

C23C 16/50 A , C23C 16/50 D , C01B 21/068 Y , C01B 31/02 101 Z , C01B 31/36 601 F , C01B 33/04 , F16C 33/12 Z

Fターム (36件)：

3J011CA02 , 3J011CA05 , 3J011DA02 , 3J011SD01 , 3J011SE02 , 4G046CA02 , 4G046CB03 , 4G046CB08 , 4G046CC09 , 4G046MA14 , 4G046MC02 , 4G046MC06 , 4G072AA04 , 4G072BB09 , 4G072BB13 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH03 , 4G072HH04 , 4G072JJ01 , 4G072NN13 , 4G072RR25 , 4G072UU30 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA10 , 4K030BA27 , 4K030BA30 , 4K030BA31 , 4K030BA37 , 4K030CA11 , 4K030CA15 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030KA15 , 4K030LA23

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