特許

J-GLOBAL ID：200903086955701655

配線形成法

発明者： 田原 傑
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034074
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232096
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】Al系膜及びTi系膜を含む配線の形成法において、側壁保護膜除去とコロージョン防止とを共に達成する。【解決手段】基板10を覆う絶縁膜12の上にTiN膜、Al合金膜及びTiN膜を順次に重ねた積層を形成した後、レジスト層16をマスクとし且つハロゲン系ガスを用いるドライエッチングにより積層をパターニングして配線層14Aを得る。ドライエッチングは、側壁保護膜18a,18bを形成しつつ行なう。18a等の膜は、Ti含有膜/Al含有膜/Ti含有膜の3層構造をなす。O2及び/又はH2OガスにF系ガスを添加したガスのプラズマで層16をアッシングして除去する。18a等の膜中のAl,Tiはフッ化される。冷水(30°Cより低温)、温水(30°C以上)及び冷水を順次に用いる水洗により18a等の膜及びハロゲン系残留物を除去する。冷水はTiフッ化物を、温水はAlフッ化物及びハロゲン系残留物をそれぞれ除去し易い。

請求項（抜粋）：

基板を覆う絶縁膜の上にTi系導電膜及びAl系導電膜を順次に重ねた積層を形成する工程と、所定の配線パターンに従って前記積層の上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をマスクとし且つハロゲン系ガスを用いるドライエッチングにより前記積層をパターニングして前記積層の残存部からなる配線層を形成する工程であって、前記配線層の側壁に側壁保護膜を形成しつつ前記ドライエッチングを行なうものと、前記配線層を形成した後、酸素を含むガスにフッ素系ガスを添加したガスのプラズマにより前記レジスト層をアッシングして除去する工程と、前記レジスト層を除去した後、30°Cより低温の冷水及び30°C以上の温水を順次に用いる水洗処理により前記配線層から前記側壁保護膜及びハロゲン系残留物を除去する工程とを含む配線形成法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R

Fターム (27件)：

5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB12 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ95 ,  5F033WW03 ,  5F033XX18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-263423
  
• 特開平3-166724