特許

J-GLOBAL ID：200903086955892760

非単結晶炭化シリコン半導体薄膜及びその製造方法

発明者： 阿閉 忠司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288278
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 光学バンドギャップが大きく、良好な光電特性を示す半導体薄膜材料として新規なネットワーク構造を持つ非単結晶炭化シリコン(Si1-X Cx :H:F)を得る。【構成】 少なくともSi原子とC原子とH原子とF原子を含む非単結晶炭化シリコン半導体薄膜で、その光学的禁制帯幅が2.5eV以上で、この非単結晶炭化シリコン半導体薄膜をSi1-X Cx 膜と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコン半導体薄膜において、該膜中のSi原子と結合したC原子の50%以上が、2個あるいは3個のF原子と結合していることを特徴とする非単結晶炭化シリコン半導体薄膜及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくともSi原子とC原子とH原子とF原子を含む非単結晶炭化シリコン半導体薄膜で、その光学的禁制帯幅が2.5eV以上で、この非単結晶炭化シリコン半導体薄膜をSi1-X Cx 膜と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコン半導体薄膜において、該膜中のSi原子と結合したC原子の50%以上が、2個あるいは3個のF原子と結合していることを特徴とする非単結晶炭化シリコン半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/108

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/10 C