特許
J-GLOBAL ID：200903086957257191
プラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-136542
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】【目的】 反応容器内壁にシリコン粒状物が堆積するのを防止することによって、半導体薄膜のピンホール及び膜剥がれを大幅に削減する。【構成】 反応容器1の内部の反応ガスが滞留しやすい部分14に、スイープ手段15から滞留防止用ガスを導入することによって、反応ガスの滞留を防止でき、シリコン粒状物の発生を低減する。この滞留防止用ガスを加熱すれば、反応ガスの急冷に起因するシリコン粉状物の発生も防止する。
請求項（抜粋）：
薄膜形成用基板が内部にセットされる反応容器と、該反応容器内部へプラズマ発生用の反応ガスを導入する手段と、該導入された反応ガスをプラズマにして該基板に付着させる手段と、該反応容器内部の該反応ガスの滞留が生じる部分に滞留防止用ガスを導入するスイープ手段とを備えたプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
