半導体装置、半導体装置の製造方法、および、通信方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178173
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007290
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】ユーザ端末の不正使用への障壁を低コストで高める。【解決手段】多結晶の半導体層1に、チャネル領域2、ソース領域3、および、ドレイン領域4が形成されている。チャネル領域2に含まれる結晶粒界6の量によって、多結晶TFT101の特性がばらつく。チャネル領域2に結晶粒界6を多く含むほど、ドレイン電流が小さくなる。TFT101の電気的特性を符号化して得られる符号を、半導体チップ、あるいは、システムなどの識別に使用するために、TFT101が符号化回路とともに、半導体チップ、あるいは、システムなどに搭載される。

請求項（抜粋）：

多結晶体を有する半導体素子と、前記多結晶体の結晶構造のばらつきに由来して値がばらつくように、前記半導体素子の電気的特性をデジタル形式の信号へ変換することにより、符号を生成し、出力する符号化回路と、を備える半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/20 , H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H04L 9/32 , H04M 1/665

FI (9件)：

H01L 27/04 F , H01L 21/20 , H04M 1/665 , H01L 27/10 433 , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 626 Z , H01L 29/78 627 G , H04L 9/00 673 B , H04L 9/00 673 D

Fターム (81件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AR01 , 5F038AR09 , 5F038AZ08 , 5F038AZ10 , 5F038BB02 , 5F038BB05 , 5F038BE09 , 5F038CD02 , 5F038CD03 , 5F038CD08 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF10 , 5F038DF12 , 5F038DF14 , 5F038DT12 , 5F038DT13 , 5F038DT17 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F052AA11 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F083CR20 , 5F083GA30 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA02 , 5F083PR36 , 5F110AA04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HL02 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110PP10 , 5J104AA07 , 5J104BA04 , 5J104GA01 , 5J104GA05 , 5J104KA02 , 5J104KA10 , 5J104KA15 , 5J104MA02 , 5J104NA04 , 5J104PA02 , 5K027AA11 , 5K027BB09 , 5K027HH14 , 5K027HH24

前のページに戻る