特許

J-GLOBAL ID：200903086961304676

半導体装置

発明者： 岡本 龍郎 ,  小河 育夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343403
出願日： 1985年09月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 アルミシリコン配線6とBPSG膜4との組合せにおいて、コンタクトホール7の析出シリコンを防止するため。【構成】 BPSG膜4上にボロンの拡散を抑制する金属膜5を設ける。【効果】 コンタクト抵抗が減少し、対ビッド不良が少なくなった。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に絶縁膜として配置されたボロン(B)とリン(P)を含むシリコン酸化膜(BPSG)と、上記絶縁膜の上部に配置されたモリブデンシリサイドを含む第1の金属膜とシリコンを含むアルミ合金からなる第2の金属膜と、上記絶縁膜に形成されたコンタクト穴を通して上記第1、第2の金属膜とシリコン基板に形成された不純物拡散層が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90