特許
J-GLOBAL ID：200903086966925717
静電吸着方法とその装置と半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189376
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055900
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 静電吸着方法とその装置と半導体装置の製造方法に関し、吸着試料の離脱を容易にする・吸着試料からの発塵を低減する・半導体装置の歩留りを改善する。【構成】 複数の静電吸着用電極対に通電する静電吸着方法および装置において、対をなす電極には逆極性の交番電圧を印加し、複数の電極対に対する交番電圧の位相をずらす。静電吸着用電極に印加する試料吸着電圧の立ち上がりを緩やかにする。対をなす電極には逆極性の交番電圧を印加し、複数の電極対に対する該交番電圧の位相をずらし、かつ、該交番電圧の立ち上がりを緩やかにする。半導体装置の製造に際し前記静電吸着方法を利用する。
請求項（抜粋）：
複数の静電吸着用電極対に通電する静電吸着方法において、対をなす静電吸着用電極には逆極性の静電吸着用交番電圧を印加し、該複数の静電吸着用電極対に印加する該交番電圧の位相をずらすこと、を特徴とする静電吸着方法。
IPC (2件)：
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