特許

J-GLOBAL ID：200903086968480984

内部電源電圧発生回路

発明者： 朴 用寶 ,  林 亨圭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211061
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295585
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】印加される外部電源電圧の状態に応じて内部電源電圧のレベルを変更して供給できる半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路の提供。【構成】外部電源電圧の状態を感知するための外部電源電圧感知部100と、外部電源電圧感知部100の出力に基づいて比較部300の経路G2とドライバー50の制御端子との間の電気的接続状態を制御するドライバー制御部200とを備えてなり、外部電源電圧が所定の値を越えて印加される場合にこれを感知してドライバー50の導通程度を制御し、該外部電源電圧と同様のレベルの内部電源電圧を発生するようになっている。

請求項（抜粋）：

基準電圧を発生する基準電圧発生装置と、基準電圧及び内部電源電圧を入力とする比較器と、比較器の制御にしたがって外部電源電圧を基に内部電源電圧を出力するドライバーとを有し、外部電源電圧の印加により内部電源電圧をチップ内の各素子に供給する半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路において、外部電源電圧の状態を感知する外部電源電圧感知部と、外部電源電圧感知部の出力に基づいて比較器の出力とドライバーの制御端子との間の電気的接続状態を制御するドライバー制御部とを備え、外部電源電圧が所定の値を越えて印加される場合にドライバーの導通程度が制御されて該外部電源電圧と同様のレベルの内部電源電圧を出力するようになっていることを特徴とする内部電源電圧発生回路。

IPC (3件)：

G11C 11/407 ,  G05F 3/24 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-181196
  
• 特開平2-299034
  
• 特開平3-160699
  
• 特開平1-129769