特許
J-GLOBAL ID：200903086968533468
ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215319
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061452
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 エッチング処理工程を含む製造プロセスにおいて、基板表面の面内の不均一性やエッチング装置の特性に応じたエッチング処理速度の制御を行うことにより、均一な表面構造を実現する。【解決手段】 上部電極14にはシャワーヘッド板17が固定されており、さらにその表面上の中央部分には絶縁性シールド18が貼着されている。絶縁性シールド18は所定厚さのセラミック板で形成されている。この絶縁性シールドによって、下部電極13及び上部電極14の間に発生するプラズマの分布を制御することができるため、基板13の表面に対するエッチングレートの分布を変えることができる。
請求項（抜粋）：
対向する電極間にエッチングガスを導入し、電極間に高周波電圧を印加することによって前記エッチングガスを励起し、一方の前記電極上に配置された基板の表面をエッチングするドライエッチング方法において、他方の前記電極と前記基板との間に選択的に介在する絶縁性シールドを配置して処理することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 D
, H01L 21/302 C
