特許

J-GLOBAL ID：200903086969928954

有機非線形光学結晶薄膜の気相成長方法

発明者： 福田 誠司 ,  後藤 哲哉 ,  津田 敬治
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025460
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323400
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【構成】次の3つの条件を満たすことを特徴とする有機非線形光学結晶薄膜の気相成長方法。(1)有機非線形光学結晶材料が、選択図(ただしRは炭素数が2以下のアルキル、ハロゲン化アルキル)で表される化合物(重水素置換体の場合も含む。)である。(2)該有機非線形光学結晶材料の蒸着源加熱温度の制御を行なう。(3)成長中の真空度を5×10-8torrより高真空に保つ。【効果】有機非線形光学結晶薄膜の気相成長方法において、蒸着速度の精密制御と結晶材料の熱劣化の防止を可能にする手段を提供することができる。

請求項（抜粋）：

温度制御された基板上に、有機非線形光学結晶材料を加熱蒸着する方法において、次の3つの条件を満たすことを特徴とする有機非線形光学結晶薄膜の気相成長方法。(1)有機非線形光学結晶材料が、一般式;【化1】(ただしRは炭素数が2以下のアルキル、ハロゲン化アルキル)で表される4 ́-ニトロベンジリデン-3-アルカノイルアミノ-4-メトキシアニリン、4 ́-ニトロベンジリデン-3-ハロゲノアルカノイルアミノ-4-メトキシアニリン、および、これらの化合物の有する水素の少なくとも一部が重水素置換された化合物から選ばれる材料である。(2)該有機非線形光学結晶材料の蒸着源加熱温度の制御を行なう。(3)成長中の真空度を5×10-8torrより高真空に保つ。

IPC (2件)：

G02F 1/35 504 ,  C09K 9/02