特許

J-GLOBAL ID：200903086970216453

円偏光制御素子の製造方法および円偏光制御素子

発明者： 石 崎 剛 司
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225761
公開番号（公開出願番号）：特開2003-043247
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】 液晶分子または光学活性基を変性または失活させることなく、選択反射波長帯域の異なるコレステリック層を備えた円偏光制御素子を容易に製造することができる、円偏光制御素子の製造方法を提供する。【解決手段】 配向基板13上に、コレステリック規則性を有する硬化型カイラル・ネマチック液晶等からなる液晶層を成膜し、配向基板13の配向規制力により液晶層中の液晶分子を配向させる。そして、配向基板13上に成膜された液晶層に所定の照射量の電子線または紫外線を照射して当該液晶層を3次元架橋して硬化させ、半硬化状態のコレステリック層12を形成する。その後、配向基板13上に形成された半硬化状態のコレステリック層12を、配向基板とは別の支持基板11上に所定の加温加圧条件で転写する。これにより、半硬化状態のコレステリック層12が所定の加圧条件で加圧され、最終的に、支持基材11上にコレステリック層12が形成された円偏光制御素子10が製造される。

請求項（抜粋）：

配向処理が施された配向基板上に、コレステリック規則性を有する硬化型の液晶層を成膜する工程と、前記配向基板上に成膜された前記液晶層に所定の照射量の電子線または紫外線を照射して当該液晶層を硬化させ、半硬化状態のコレステリック層を形成する工程と、前記配向基板上に形成された前記半硬化状態のコレステリック層を所定の加圧条件で加圧する工程とを含み、前記液晶層に照射される電子線または紫外線の照射量を変えることにより、前記コレステリック層の選択反射波長帯域を制御することを特徴とする、円偏光制御素子の製造方法。

Fターム (7件)：

2H049BA03 ,  2H049BA05 ,  2H049BA16 ,  2H049BA42 ,  2H049BC02 ,  2H049BC05 ,  2H049BC09