特許

J-GLOBAL ID：200903086974455690

絶縁膜の製造方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-274498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106364
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 次々世代のデバイスプロセスで要求される比誘電率を満たる有機絶縁膜は膜質が悪いため、シリコン系絶縁膜とともに用いることが検討されているが、特にフッ素樹脂膜との密着性が非常に悪く剥がれを生じていた。【解決手段】 有機絶縁膜15の表面に酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜からなるシリコン系絶縁膜16を形成する際に、シリコン系絶縁膜16の有機絶縁膜15との界面をSi-H結合を有する状態に形成する絶縁膜の製造方法であり、有機絶縁膜をフッ素樹脂膜で形成する場合にはシリコン系絶縁膜を形成する前にフッ素樹脂膜の表面に物理的衝撃を与える処理を行ってそのフッ素樹脂膜の表面の炭素との結合を減少させてもよく、またシランカップリング剤を塗布してもよい。

請求項（抜粋）：

有機絶縁膜の表面に酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜からなるシリコン系絶縁膜を形成する際に、前記シリコン系絶縁膜の前記有機絶縁膜との界面をSi-H結合を有する状態に形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 J

Fターム (38件)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX12 ,  5F058AA08 ,  5F058AD06 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AE01 ,  5F058AE10 ,  5F058AF01 ,  5F058AF02 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02