特許

J-GLOBAL ID：200903086978077231

半導体装置

発明者： 佐藤 伸良
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252814
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104249
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 配線間の埋め込み性に優れた常圧O3-TEOS-NSG 膜を層間絶縁膜とする半導体装置において、この酸化膜中の水分の拡散を防止して素子特性の劣化を防ぐ。【構成】 常圧O3-TEOS-NSG 膜16の下側に、その下地依存性をなくすためのP-TEOS-NSG膜15を形成し、さらにその下側にP-SiH4-NSG膜13を形成する。O3-TEOS-NSG 膜からの水分はP-SiH4-NSG膜のダングリングボンドにトラップされ、下側のシリコン基板11には到達しないので素子特性の劣化が防止される。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜として、有機シラン化合物とオゾンとを原料ガスとする化学気相反応により形成される酸化膜を有する半導体装置において、前記酸化膜の下側に第1層として無機シラン化合物を原料ガスとするプラズマ化学気相反応により形成された酸化膜と、第2層として有機シラン化合物を主原料ガスとするプラズマ化学気相反応により形成された酸化膜とを有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-167429
  
• 特開平4-100233
  
• 特開平1-147835