特許
J-GLOBAL ID：200903086982235216
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-154184
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332760
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体層の側面から放出される光を有効に利用できる発光素子を提供する。【構成】 発光層を含むIII族窒化物系化合物半導体の積層体へダインシングソーで溝を形成し、該溝の外側側面を反射面とする。
請求項（抜粋）：
発光層を含むIII族窒化物系化合物半導体層の積層体へ機械的に溝が形成されており、該溝の外側側面に反射面が形成されている、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (21件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA02
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA06
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB15
