研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252134
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075932
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】CMPによる半導体基板の平坦化において、半導体基板表面の凹凸の凸部を選択的に研磨することでグローバル段差が速く解消でき、また、金属配線やSTIにおける研磨においてもディッシングやシンニングなどの凹み量が少なく、かつスクラッチ傷や残存ダストが少ない高品位な半導体基板を得ることが可能な研磨パッドおよび研磨装置および研磨方法を提供するものである。【解決手段】基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、親水性でかつ水不溶性の高分子と複合構造を形成し、かつ以下に示す(A)および/または(B)の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。(A)曲げ弾性率が2GPa以上(B)表面硬度がデュロメータD硬度で80以上

請求項（抜粋）：

基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、親水性でかつ水不溶性の高分子と複合構造を形成し、かつ以下に示す(A)および/または(B)の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。(A)曲げ弾性率が2GPa以上(B)表面硬度がデュロメータD硬度で80以上

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 C

Fターム (3件)：

3C058CB10 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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