ダイヤモンド膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052552
公開番号（公開出願番号）：特開平11-246299
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：

【要約】【課題】基板材料の制約がなく、また基板温度も低減することができ、更に高純度ガスを使用する必要がなく、ダイヤモンドの合成速度も速く、合成の過程で可燃性ガスを使用する必要がないダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸素ガス圧が50乃至1000mTorrの酸素ガス雰囲気のチャンバ1内で、グラファイト、アモルファスカーボン又はダイヤモンドを含有するターゲット2に対し、レーザアブレーション又はレーザスパッタリングを行う。これにより、ターゲット2から炭素を飛散させ、基板8上に単結晶ダイヤモンド膜を合成する。基板温度は300乃至600°C、ターゲット2と基板8との間の距離は10乃至100mmの範囲である。基板8は、酸化アルミニウム(サファイア)、酸化マグネシウム、石英若しくは白金の単結晶ブロック又は単結晶薄膜からなる。

請求項（抜粋）：

実質的に酸素からなるガス雰囲気下で、グラファイト、アモルファスカーボン又はダイヤモンドを含有するターゲットに対し、レーザアブレーション又はレーザスパッタリングを行って前記ターゲットから炭素を飛散させ、基板上にダイヤモンド膜を合成することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 , B01J 19/12 , C23C 14/06 , C23C 14/34

FI (4件)：

C30B 29/04 M , B01J 19/12 G , C23C 14/06 F , C23C 14/34 A

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