特許
J-GLOBAL ID:200903086992502670

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 徳若 光政
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-056686
公開番号(公開出願番号):特開平7-245534
出願日: 1994年03月02日
公開日(公表日): 1995年09月19日
要約:
【要約】【目的】 異なる電位の電源電圧を動作電源とする回路間のインタフェース整合に適したレベルシフト回路を実現する。これにより、そのコスト上昇及び性能低下を招くことなく、携帯通信端末装置等の低電圧化及び低消費電力化を推進し、その小型化,軽量化及び低価格化を図る。【構成】 異なる電位の電源電圧を動作電源とする複数の回路つまりLSIを備える携帯通信端末装置等において、各LSIにおけるアナログ信号の中心電位をその電源電圧VDD及びVCCの二分の一にそれぞれ設定するとともに、LSI間のインタフェース整合に供給されるレベルシフト回路LSFIを、その反転入力端子-に抵抗R1を介して入力アナログ信号Viを受けその非反転入力端子+に所定のバイアス電圧VLを受ける演算増幅器OA2と、この演算増幅器の反転入力端子-及び出力端子間に設けられる抵抗R2とを基本に構成する。
請求項(抜粋):
第1の電源電圧をその動作電源とし第1の電位を中心電位とする第1の信号を形成する第1の回路と、その非反転入力端子に所定のバイアス電圧を受けその反転入力端子に実質的な上記第1の信号を受ける第1の演算増幅器を含み上記第1の信号をもとに第2の電位を中心電位とする第2の信号を形成するレベルシフト回路と、第2の電源電圧をその動作電源とし上記第2の信号を受ける第2の回路とを具備することを特徴とする半導体装置。

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