結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047186
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237189
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】高品質の結晶質シリコン系半導体薄膜を低コストで製造することを可能ならしめる。【解決手段】結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法において、基板上でそのシリコン系薄膜4をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、反応室内の圧力が400Pa以上に設定されていてシラン系ガスの分圧に対して水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法であって、基板上で前記シリコン系薄膜をプラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、その水素ガスの純度は99.9999%以上で99.99999%未満であり、前記反応室内の圧力は400Pa以上に設定されていて前記シラン系ガスの分圧に対して前記水素ガスの分圧が50倍以上であることを特徴とする結晶質シリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 31/04 V , H01L 31/04 X

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA18 , 4K030BA30 , 4K030BA45 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA20 , 4K030LA16 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC00 , 5F045AC01 , 5F045AE25 , 5F045CA13 , 5F045CA15 , 5F045EE12 , 5F045EE13 , 5F045EE17 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051CB12 , 5F051CB29 , 5F051GA03

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